2011年11月15日

日立化成、CMPスラリーの特許権侵害で韓国企業を提訴

【カテゴリー】：経営 【関連企業・団体】：日立化成工業

日立化成工業は15日、韓国のK. C. Tech (本社：ソウル市)が、半導体ウエハの研磨に使用する酸化セリウムスラリー(CMP スラリー)で日立化成の保有する米国特許を侵害しているとして、米国テキサス州オースティンの西部地方裁判所に提訴したと発表した。 日立化成は2010年6月から問題解決のため、K. C. Tech と和解条件などについて協議してきたが、合意にいたらなかった。このため知的財産を保護し、特許使用料の支払いを求めることにし、提訴に踏み切った。 保護対象としている日立化成の米国特許は、「USP7,115,021」 と「USP7,871,308」 の2件。 CMP スラリーは、半導体の平坦化工程に使用される研磨液で、化学的研磨と機械的研磨を同時に行い、半導体ウエハの平坦度を高めて、工程時間を減らすことができる。日立化成は、早い時期から CMP の製品および製法開発研究に取り組み、製品ラインアップをそろえてきた。 同社のCMP スラリーは現在、STI(Shallow Trench Isolation)用では世界のトップシェアを有している。 ＜用語の解説＞ ■STI：シリコンウエハ上の何百万個もの半導体素子をそれぞれ電気的に絶縁する「素子分離」の方法の一つ。微細配線に適していることからデザインルール180 ナノメートル近辺から主流になってきた。 ニュースリリース参照 〇韓国企業をCMPスラリーに関する特許権侵害で提訴 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1321320647.pdf 〇CMP Slurry Patent Infringement Lawsuit against Korean Company http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file2_1321324757.pdf