| 2011年12月22日 |
| NIMS、世界初 レーザー照射による高分子ナノワイヤー技術を開発 |
| 【カテゴリー】:新製品/新技術 【関連企業・団体】:なし |
物質・材料研究機構(NIMS)は、パルスレーザーを照射させるだけでその領域にのみ選択的に高分子ナノワイヤー(ナノサイズの細い線)を成長させ、さらにそのナノワイヤーに各種ナノ材料をドーピングさせて様々な機能性を持たせることに世界で初めて成功した。分子デバイス開発を飛躍的に促進させる可能性がでてきた。 ナノデバイスが注目されるのは、サイズを極限まで小さくしたときに初めて発現される量子サイズ効果によって、従来のデバイスでは得られなかった新しい機能が得られることにある。 量子サイズ効果を得るには、ナノワイヤーの直径を数十ナノメートル(1nmは10億分の1m)以下まで細線化する必要があるが、従来法では直径数百ナノメートルという比較的太いものの作製が限界であった。 今回、NIMSは鋳型を用いず、高度に制御されたレーザーを材料の上に当てるだけで、照射位置にナノワイヤーが伸びるように生成する全く新しい技術を世界に先駆けて開発した。さらに、原料に様々な材料を添加し、生成されるナノワイヤーにこれまで困難だった多くの機能をもたせることも可能にした。 この方法で得られる機能性高分子材料は、今後さらにフレキシブル基板の配線、小型化が求められる携帯機器アンテナでの実用化が期待される。 |