| 2016年02月09日 |
| JST、国立高等専門学校 新技術説明会 |
| 【カテゴリー】:行政/団体 【関連企業・団体】:なし |
科学技術振興機構(JST)は、「国立高等専門学校機構新技術説明会」を2月16日12時50分から東京・市ヶ谷のJST東京本部別館で開催する。中小企業基盤整備機構、全国イノベーション推進機関ネットワークが後援。 国立高等専門学校の第一線教授陣が最新の研究成果を中心に、技術の特徴や従来技術との比較、想定される用途などについて説明する。 <プログラム> (1)「安価で多様な基板上に作製可能な高配向ペロブスカイト成膜技術の開発」:鶴岡工業高専教授・内山潔 (2)「液晶中のイオン性不純物の除去装置および除去方法」:富山高専教授・栂伸司 (3)「充電時のデンドライト形成を抑制した新規金属亜鉛負極反応系」:奈良工業高専教授・片倉勝己 (4)「フレキシブル半導体素子の屈曲性改善方法」:津山工業高専教授・小林敏郎 (5)「3Dプリンタによる長繊維強化プラスチックの製造方法」:呉工業高専教授・山脇正雄 (6)「超臨界流体を用いたナノ粒子の分散・複合化および固定化技術」:久留米工業高専准教授・松山清 参加費は無料。 問い合わせ先は、科学技術振興機構産学連携展開部(TEL:03-5214-7519) |