2000年08月30日

大阪工技研/低速イオンビームで単結晶SiC製法開発

600℃で高品質、次世代半導体素子安価に生産も

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：なし

通産省は30日、工業技術院大阪工業技術研究所が低速イオンビームを利用してシリコン基板表層を単結晶の炭化珪素(SiC)とする技術を開発した、と発表した。 　600℃の低温(従来は1,000℃)でシリコン基板表層を炭化珪素にするもので、超高真空中で質量分離した炭素低温イオンビームをシリコン基板上へ照射することにより低温化を可能にした。 　従来法に比べて、表面がより平坦化された高品質の3Cタイプ単結晶SiCであることが確認された。また、低温プロセスのため、SiC層とシリコン基板との境界の構造がより良好であることが期待されるとしている。 　実用化されれば次世代半導体素子が安価に生産できることになる。 　研究を担当した材料物理部量子ビーム研究室の坪内信輝氏は「これから新しいプロセスとして積極的に提案していきたい」といっている。