2023年02月07日

九大など、六方晶窒化ホウ素合成と特性向上成功

【カテゴリー】：ファインケミカル 【関連企業・団体】：九州大学

現代社会を支えているシリコン半導体デバイスは、微細化によって高速化や省電力化が進められてきたが、その微細化はほぼ限界にきている。この問題を解決する材料として期待されているのが、グラフェンを始めとする原子の厚みしか持たない究極に薄い2次元の原子シート（2次元材料）だ。 　 　九州大学 グローバルイノベーションセンターの吾郷浩樹 主幹教授らの研究グループは7日、化学気相成長法と呼ばれる方法で均一な多層の六方晶窒化ホウ素を合成し、さらにそれを用いて大規模なグラフェンデバイスの特性向上につなげることに成功したと発表した。特に、六方晶窒化ホウ素の合成法に加えて、グラフェンとの積層法やクリーニング法を詳細に検討することで、大面積に並んだグラフェンのデバイス特性を倍以上に高められることを実証した。 　本研究は、これまで難しかった大面積での2次元材料のデバイス化を可能にするものであり、次世代半導体の実現を通じて今後の半導体産業に大きく貢献するものと期待される。 本研究の成果は2月7日発行の英国科学誌「Nature Electronics」オンライン版で公開される。 ニュースリリース https://www.jst.go.jp/pr/announce/20230207/index.html