2025年05月21日

大陽日酸など、次世代パワーデバイス基盤技術確立

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：大陽日酸

大陽日酸は21日、東京農工大学、奈良女子大学など7者共同で、独自の減圧ホットウォール有機金属気相成長 （MOVPE）法を用い、高精度にn型キャリア密度を制御したβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）結晶の高速成長技術を開発したと発表した。β-Ga2 O3は電力制御・変換の高効率化を実現する次世代パワーデバイス用の半導体材料として注目されている。 　今回、安全なSi源としてテトラメチルシラン（TMSi）を採用し、MOVPE法でSiをドープしたβ-Ga2O3を成長し、キャリア密度の高精度制御を達成した。今後、パワーデバイス量産に必須となるホモエピタキシャルウェハ量産の基盤技術として期待される。 　同研究に参加しているのは次の7者。 　▽東京農工大学▽大陽日酸▽大陽日酸ATI▽奈良女子大学▽工学院大学▽大阪公立大学▽（国開）情報通信研究機構。 　なお、同研究成果は「 Applied Physics Express（APEX）」誌（5月20日付）にオンライン公開された。 ニュースリリース https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1747808018.pdf