2025年06月23日

東ソーと東京科学大、世界初・新規窒化物開発

【カテゴリー】：行政/団体 【関連企業・団体】：東ソー

東ソーは23日、東京科学大学と共同開発した新規強誘導体窒化物に関する研究成果が4月22日付で国際学術誌「APL Materials」に掲載されたと発表した。 　 　同社は半導体製造に不可欠な薄膜形成材料であるターゲット材の製造・開発に取り組み展開中だが、薄膜は基板上に形成される非常に薄い膜で、電子部品の機能や性能の実現に重要な役割を持つ。 　今回、窒化アルミニウム（AlN）と窒化ガリウム（GaN）を合金化することで、従来よりも高濃度なスカンジウム（Sc）を結晶に取り込んだ膜が作製可能なことを世界で初めて明らかにした。 　 　この発見は、多種類の元素を混合することで元素の取り込み量が増加する「エントロピー効果」を窒化物材料に応用したことによって得られた。半導体メモリに使用される窒化ガリウム、窒化アルミニウムにスカンジウムがより多く取り込まれることで、動作の低電圧化および劇的な低消費電力化の実現が可能となる。 　 　また、圧電性や電気光学効果の向上も確認され、今後は高周波ノイズフィルタや超低消費電力で動作する光コンピュータなど、次世代デバイスへの応用が期待できる。 　同社は、今回研究の成果を活かして今後もターゲット材料の開発を推進し、超低消費電力メモリや各種高性能デバイスの実用化を目指すとともに、持続可能な情報社会の発展に貢献していく方針だ。 　 ニュースリリース https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1750654376.pdf