2026年04月20日

東大とJSR、磁気トンネル接合を新設計

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：東京大学

東京大学大学院 理学系研究科の田中克大特任助教、JSR・RDテクノロジー・デジタル変革センターの栂裕太主事、東京都立大学大学院理学研究科の野本拓也准教授らの研究グループは、第一原理計算を用いて、ノンコリニア反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを組み合わせた磁気トンネル接合（MTJ）を設計し、巨大なトンネル磁気抵抗（TMR）効果が現れることを理論的に予測したと発表した。この成果は、反強磁性トンネル接合デバイスの設計開発の指針となり、将来的に超高速・低消費電力で動作する高密度な不揮発性磁気メモリの開発につながることが期待される。 　本研究成果は2026年4月16日に米国物理学会誌「Physical Review Materials」に掲載され、注目論文として選出された。 ＜用語の解説＞ ■反強磁性体、ノンコリニア反強磁性体 　磁性体中の磁気モーメントが互いに打ち消し合うことで、磁化が全体としてゼロとなる磁性体を反強磁性体という。反強磁性体のなかでもとくに、磁気モーメントが平行に並んでいないものをノンコリニア反強磁性体と呼ぶ。