2025年12月09日
名古屋大学/AGC
AlN基板上AlN/GaN/AlN 薄膜トランジスタで 高耐圧・低抵抗・電流不安定性解消を実証

ニュースリリース
https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1765256406.pdf


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